型号 | SPN01N60C3 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223 |
SPN01N60C3 PDF | |
代理商 | SPN01N60C3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
产品变化通告 | Product Discontinuation 18/Dec/2009 |
标准包装 | 1,000 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 300mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6 欧姆 @ 500mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.7V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000012411 SPN01N60C3T SPN01N60C3XT |